Source : TGdailyEn attendant qu'arrive la mémoire flash dont nous parlions hier, Samsung et Sun annoncent avoir développé une mémoire NAND Flash SLC capable de supporter 5 à 10 millions de cycles d'écriture. Cette mémoire très rapide mais certainement très chère est destinée à la fabrication de disques SSD qui trouveront leur place dans des serveurs à très autres performances comme ceux utilisés pour faire du straming vidéo. Bien entendu, les premiers serveurs qui en tireront partie seront ceux de Sun. ...

Selon DigiTimes, Apple a passé en début de mois une très importante commande de mémoire flash NAND à Samsung. La commande était tellement importante qu'elle a contraint Samsung à demander à ses autres clients d'attendre. 50 millions de puces de 8 Go auraient été commandées par Cupertino essentiellement pour l'iPhone, ......

Des scientifiques japonais ont trouvé une technique pour améliorer la durée de vie des supports de mémoire Flash, la faisant passer d'une dizaine à une centaine d'années. Cette nouvelle technologie NAND Flash ferro-électrique permet des réécritures de 100 millions de fois, contre 10'000 environ avec les technologies actuelles, tout ......

Intel vient d’annoncer avoir fabriqué en partenariat avec Micron la première puce de mémoire flash NAND possédant une gravure inférieure à 40nm. Cette puce mémoire au format MLC (Multi-Level Cell) gravée en 34nm affiche une capacité de 32 Gb et contient ainsi 4 Go de données. Elle a été conçue par IM Flash Technologies (IMFT), une [...]...

Dans un marché morose, Creative ne se décourage pas et annonce son nouveau baladeur multimédia à mémoire flash : le Zen Mozaic.Lire l'article ...

OCZ, déjà connu pour ses barrettes mémoires destinées à la performance et à l'overclocking a décidé dernièrement de s'attaquer au marché des disques durs de mémoire Flash, les fameux SSD (Solid State Disk [...]...

Source : DailytechL'une des inquiétudes au sujet de la mémoire flash est liée au nombre de cycles limités d'écriture qu'elle est capable de supporter. Des chercheurs japonais affirment avoir trouvé une parade et annoncent une mémoire NAND ferroélectrique capable de supporter 100 millions de cycles d'écriture, contre 10 000 pour de la mémoire NAND MLC. De plus il sera possible de graver cette mémoire à 10 nm, alors qu'il sera techniquement impossible de graver de la NAND actuelle en dessus de 20 nm. La durabilité de cette mémoire est liée à la tension qu'il est nécessaire d'appliquer pour écrire. Elle n'est que de 6V contre 20 pour les autres mémoires. Accessoirement, elle consommera bien entendu moins d'énergie. Il ne reste comme toujours plus qu'à savoir si cette mémoire pourra sortir des laboratoires et passer au stade industriel. ...

Samsung a fait savoir que la production de masse de son disque de mémoire Flash ou SSD de 128 Go avait débuté. Pour rappel, ce SSD est basé sur des puces de type MLC (Multi Level Cell). Samsung proposera [...]...

Toshiba annonce avoir développé un procédé de fabrication de modules mémoire flash NAND SLC (Single-Level Cell) employant une finesse de gravure de 43nm. Les modules mémoire SLC sont réputés plus rapides que les modules MLC (Multi-Level Cell) tout en apportant une meilleure fiabilité que ces derniers. La gravure en 43nm permet d’intégrer une plus grande capacité [...]...

Actuellement, la plupart des fabricants de disques SSD ont fait le choix d'utiliser de la mémoire Flash MLC, permettant une forte densité d'informations et donc des capacités, mais au détriment des performances et de la durabilité. De choix a été en grande partie dicté à cause du prix de la mémoire SLC bien plus efficace, mais aussi beaucoup plus chère, trop pour viser un marché grand public. Les choses pourraient changer dans l'avenir. Toshiba a en effet annoncé qu'il lancerait sur le marché au premier trimestre 2009 des puces de Flash SLC gravées en 43 nm. Cette finesse de gravure leur permettra d'atteindre des capacités allant jusqu'à 8 Go par puce. On est certes encore loin des capacités de la mémoire MLC, mais on peut envisager de voir arriver des disques SSD de 128 Go et qui seront réellement très rapides, probablement quelques centaines de Mo/s aussi bien en lecture qu'en écriture. Ces produits resteront certainement très onéreux, mais offriront de nouvelles perspectives d'usage de disques durs qui ne seront plus des goulets d'étranglement. ...

La mode actuelle du stockage est au SSD, le format de disque à base de mémoire flash. Pour coller à cette mouvance, Samsung vient d'annoncer son modèle de SSD d'une capacité de 256 Go à l'occasion du Samsung Mobile Solution Forum. Des MLC pour amoindrir l...

Plusieurs fabricants de mémoire ont indiqué que les prix liés à la mémoire allaient certainement augmenter dans les semaines à venir. Pour Samsung, les prix devraient commencer s'accroître dès ce mois-ci [...]...

Tandis que Microsoft travaille sans relâche sur sa technologie Silverlight, actuellement en route vers sa seconde mouture majeure, Adobe prépare également la nouvelle génération de sa technologie Flash, largement utilisée dans tout le secteur ......

Le spécialiste de la mémoire G.Skill lance deux nouveaux disques SSD de 64 Go et 128 Go au format 2.5’’. Ces nouveaux SSD sont conçus à base de mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell). Alors que cette technologie est réputée moins rapide que la mémoire SLC (Single-Level Cell), G.Skill parvient à offrir malgré tout de bonnes [...]...

Samsung livrera très prochainement sa nouvelle génération de batteries lithium-ion à des marques américaines d’ordinateurs portables. D’après le Korea Times, Dell et HP seraient les destinataires de ces batteries pour ordinateurs portables. Selon Samsung, ces dernières offrent +7.7% de capacité, 10% d’autonomie supplémentaire et se rechargent plus rapidement que les modèles 2.600 mAh actuels. Les industriels du secteur [...]...